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The effects of annealing and wake-up cycling on the ferroelectricity of zirconium hafnium oxide ultrathin films prepared by remote plasma atomic layer deposition

Structurae kann Ihnen derzeit diese Veröffentlichung nicht im Volltext zur Verfügung stellen. Der Volltext ist beim Verlag erhältlich über die DOI: 10.1088/1361-665x/ab23c3.
  • Über diese
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  • Reference-ID
    10313660
  • Veröffentlicht am:
    30.06.2019
  • Geändert am:
    26.07.2019
 
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